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Durch die Verwendung eines hochempfindlichen Kryostromkomparator brücken die quantisierten Hall-Widerstand RH (i) für i = 2 in einem GaAs / AlGaAs-Heterostruktur wurde direkt mit RH verglichen (4) in einem Silicium-MOSFET Wir finden RH (2 ;. GaAs ) / RH (4: Si) = 2 (1 bis 0,22 (3,5) x 10-10) zeigt, dass innerhalb der 1σ kombinierte Unsicherheit Moncler Jacke Herren Günstig von ± 3,5 × 10-10 quantisierten Hall-Widerstand ist unabhängig von dem Wirtsgitter und Landau-Niveau Index und wahrscheinlich gleich u0026 lt; img height = '30' border = '0' style = 'vertical-align: bottom' width = '35' alt = '' title = '' src = 'http: // Ursprungs-ars .els-cdn.com / content / image / 1-s2.0-003960289290317Y-si1.gif 'u0026 gt;. Diese Genauigkeit ist, so dass Korrekturen an RK der Ordnung (lb / Ohm) 2, wobei B die magnetische Länge und Ohm Probenbreite, kann fast ausgeschlossen werden. Die in den MOSFET-Strukturen erreicht extrem hohe c Strom (~ 70 microA) scheint einfach zu sein wegen der besonders dicken (800 nm) Oxidschichten verwendet. GaAs-Quantum-Well-Geräte gefunden werden gut geeignet für die Metrologie Arbeit. Geräte mit Mobilitäten von ~ 20 m2 V -1s -1 die höchsten kritischen Ströme, während die geeignete Moncler Jacke Herren skaliert Plateaus Breiten sind nur schwach abhängig von Mobilität.
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